Glosario: M
- Magnetrón
- Es un tubo electrónico tipo diodo que se emplea para producir energía de microondas. Anterirmente se utilizaba la tecnología plasma de microondas.
- Magnetrón sputtering
- El equipo de magnetrón sputtering consiste en aplicación de un campo magnético bajo del material tratado durante el proceso de pulverización. Su finalidad es hacer más efectivo el proceso de bombardeo iónico. El campo magnético se crea mediante una serie de imanes. De esta manera se aumenta la densidad del plasma y el grado de recubrimiento, justo cómo cuando se emplea energía eléctrica en baja tensión (generalmente hasta los 500V, en comparación a los 1500V). Debido a la baja tensión éste es un tratamiento más cuidadoso para el material. Durante el proceso de magnetrón sputtering el plasma está enfocado en un punto del blanco. Debido a la interacción entre los campos magnéticos y eléctricos se provoca un ataque desigual de la superficie del blanco (en forma de círculos). La distancia ánodo-cátodo (espacio oscuro) es esencial para excitar correctamente el plasma (3mm en corriente directa (DC) o 5 mm en instalaciones de alta frecuencia).
- Material compuesto
- Vease “Composites”.
- Materiales plásticos
- Los polímeros se clasifican en termoplásticos, duroplásticos, y elastómeros. Éstos se distinguen por su estructura química, por su grado cristalino o por el tipo de los enlaces cruzados. Los polímeros se combinan con diversas sustancias para modificar sus propiedades y cumplir los requisitos técnicos predeterminados.
- Mejorar la adherencia
- Vease “Adhesión”.
- Metales
- La mayoría de los elementos químicos en la tabla periódica se clasifican como metales. Éstos, en forma pura o como parte de aleaciones, tienen las siguientes caractéristicas: estructura cristalina, dureza, brillo metálico, gran facilidad para perder electrones, alta conductividad térmica y eléctrica, maleabilidad y ductibilidad. También tienen una relativa facilidad de oxidación. Muchos metales se oxidan por diversas sustancias comunes, incluyendo el oxígeno y los ácidos. Los metales se pueden golpear para formar láminas delgadas, estirar para formar alambres, prensar, forjar pulir o soldar para uso industrial. Los metales se comportan a temperatura ambiente de acuerdo a la ley de Dulong y Petit.
- Método “Desmear”
- Es parte del proceso de fabricación de placas de circuito impreso. Después de perforar las placas (casi siempre de resina epoxi) quedan en los bordes de las perforaciones residuos del material de la placa. Éstos se eliminan mediante tratamiento por plasma. A través del método “Desmear” (mediante plasma atmosférico o a baja presión) se mejora la adhesión durante la metalización.
- Método TOF-SIMS
- (Abr. de inglés: “Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry”). La espectrometría de masas de iones secundarios con detección mediante tiempo de vuelo es un método de análisis superficial, en el cual la superficie se bombardea por iones medinte radiación pulsada. Según el “tiempo de vuelo” de los iones secundarios se puede determinar su masa y su elemento.
- Microscopia electrónica (REM)
- (Abr. de alemán: “Rasterelektronenmikroskopie”). La microscopia electrónica de rastreo es el método más popular de obtener información cuantitativa, estructural y química en micro y/o nano regiones de sólidos. Cuando un haz de electrones incide sobre la superficie de un sólido, tienen lugar varios fenómenos: reemisión de una parte de la radiación incidente, emisión de luz, electrones secundarios y Auger, rayos X, etc. Todos estos datos se pueden emplear para obtener información sobre la naturaleza de la muestra.
- Microscopia electrónica de transmisión (TEM)
- La microscopia electrónica de transmisión es el método más antíguo para estudiar la microestructura de las capas. En comparación con la microscopia de fuerza atómica (AFM) este método consiste en el bombardeo de la prueba por iones energéticos. Una capa delgada de las muestras se recubre con carbono u oro para reflejar bien los electrones, puesto que este sistema consiste en la obtención de imágenes mediante la recolección de los electrones reflejados por la muestra. La fuente de electrones es generalmente un filamento caliente de tungsteno que por efecto termoiónico emite electrones. Éstos se focalizan en una zona situada enfrente del ánodo. La corriente total emitida por el cañon de electrones puede ser del orden de 100mA, pero sólo una pequeña fracción se utiliza para formar la imagen final. El resto se detiene en los distintos diafragmas dentro de la columna del microscopio. Mediante el incremento de la corriente, la fuerza del campo magnético aumenta y por lo tanto la graduación de las lentes se hace mayor a su vez.
- Microscopia de fuerza atómica (AFM)
- (Abr. de inglés: “Atomic Force Microspcopy”). El microscopio de fuerza atómica (Atomic Force Microscope) fue inventado por Gerd Binnig, Calvin Quate und Christoph Gerber en 1986. Es un instrumento mecano-óptico capaz de detectar fuerzas a nivel atómico (del orden de los nanonewton) a través de una aguja muy sensible (cantilever) al final de un soporte flexible que hace un barrido sobre la superficie de la muestra. Por las fuerzas entre aguja y superficie se obtienen figuras muy detalladas de la estructura de la superficie. El grado de torsión de la aguja mide entre 10-20 nm, pero dependiendo de la topografía superficial y la aspereza de la muestra se pueden lograr resoluciones laterales de 0,1-10 nm. El movimiento exacto del cantilever se consigue mediante elementos pieza, puesto que la muestra se analiza en areas de 100 × 100 µm. La velocidad de escaneo habitual corresponde aproximadamente a 1 Hz, es decir, cada segundo se escanea una línea en modo bidireccional. En una resolución habitual de 250 × 250 a 500 × 500 píxeles se necesitan aprox.10 minutos.
- Modificación
- Cambio en la estructura química o en las características químicas, físicas, mecánicas u ópticas de la superficie de un material. La modificación superficial puede surgir como consecuencia de procesos químicos en húmedo por ejemplo grabado, procesos de oxidación o reducción, o de procesos físicos como tratamiento corona o tratamiento plasma.
- Modificar superfices de teflón
- Vease “Grabado de teflón”.
- Moldeo
- Proceso que se aplica en la tecnología de semiconductores.
- Moldeo de piezas industriales
- En muchos ramos de la industria se protegen los componentes electrónicos o electromecánicos de las influencias ambientales mediante un sellado hermético. Como masa de moldeo a menudo se utilizan poliuretano, silicona o resina epoxi. Su adhesión sobre materiales distintos (como carcasas, placas de circuitos impresos, componentes constructivos, etc.) es de gran importancia.
